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文档摘要

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ZnO/ZnMgO多量子阱的制备工艺与性能表征研究

一、引言

1.1研究背景与意义

随着科技的飞速发展，光电器件在通信、医疗、军事、显示等众多领域发挥着愈发关键的作用，对高性能光电器件的需求也日益迫切。ZnO作为一种直接带隙宽禁带半导体材料，室温下禁带宽度为3.37eV，激子束缚能高达60meV，远大于室温热能（26meV），这使得激子在室温下能够稳定存在，为其在光电器件中的应用奠定了良好基础。其具有良好的化学热稳定性及抗辐射性能，生长温度低（300-600℃），且存在大尺寸ZnO单晶衬底可实现同质外延，硬度较低，切割和加工较为容易，这些特性都使得ZnO在光电器件领域展现