基于第一性原理的Ge?Sb?Te?晶体相变机理深度剖析

一、引言

1.1研究背景与意义

在当今信息时代，数据量呈爆炸式增长，这对存储器技术提出了极为严苛的要求。从早期的磁带、磁盘，到现代的固态硬盘（SSD）、动态随机存取存储器（DRAM）和静态随机存取存储器（SRAM），存储器技术持续演进，以满足不断增长的数据存储和处理需求。随着5G、人工智能、大数据、物联网、元宇宙等新一代信息技术的蓬勃发展，数据作为这些技术的核心力量，存储器行业也处于爆炸式增长的阶段。无论是消费电子领域的智能手机、平板电脑，还是数据中心领域的云计算、大数据处理，亦或是工业自动化、汽车电子、医疗设备等行业，都对存储器的容