新型阻变存储器中钙钛矿型铁酸铋薄膜的阻变性能与机理探究

一、绪论

1.1研究背景与意义

在信息技术飞速发展的今天，信息存储技术作为现代信息技术的关键组成部分，其性能的优劣直接影响着电子设备的运行效率和数据处理能力。随着大数据、人工智能、物联网等新兴技术的蓬勃发展，对存储器的性能提出了更高的要求，如更高的存储密度、更快的读写速度、更低的功耗以及更好的稳定性和可靠性等。传统的存储技术，如闪存（FlashMemory）等，在面对这些不断增长的需求时，逐渐显露出其局限性，如读写速度较慢、功耗较高、存储密度提升困难以及耐久性有限等问题，难以满足未来信息技术发展的需求。因此，开发新型高性能的存储技术成