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文件名称:四元靶材溅射法构筑Cu(In,Ga)(S,Se)?薄膜及器件性能优化研究.docx
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更新时间:2025-12-08
总字数:约2.28万字
文档摘要

四元靶材溅射法构筑Cu(In,Ga)(S,Se)?薄膜及器件性能优化研究

一、引言

1.1研究背景与意义

在全球能源需求持续增长以及对环境保护日益重视的大背景下,太阳能作为一种清洁、可再生的能源,具有无污染、无噪音、无限量等特点,对于缓解能源危机、保护生态环境具有重要意义,其利用成为了研究的热点。太阳能光伏利用通过太阳能电池将太阳能转换为电能,用于发电、照明、通讯等领域,是太阳能利用的重要方式之一。而在众多太阳能电池材料中,Cu(In,Ga)(S,Se)?(简称CIGSSe)凭借其独特的性能,在太阳能电池领域展现出了巨大的潜力。

CIGSSe是一种四元化合物半导体材料,作为重要的薄膜太