MgAl?O?势垒磁性隧道结与发光二极管自旋注入端：制备、特性及应用探索

一、引言

1.1研究背景与意义

自旋电子学作为一门新兴的交叉学科，近年来在学术界和工业界都引起了广泛的关注。它利用电子的自旋和磁矩特性，使固体器件中除了传统的电荷输运外，还加入了电子的自旋和磁矩，为电子学的发展开辟了新的道路。自旋电子学的出现，有望解决传统电子学面临的一些瓶颈问题，如功耗高、集成度受限等，为实现高性能、低功耗的电子器件提供了新的途径。

MgAl?O?势垒磁性隧道结作为自旋电子学中的关键器件之一，具有独特的物理性质和潜在的应用价值。它由两个磁性层和中间的MgAl?O?绝缘势垒层组成，通过控制两个磁性层的