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文档摘要

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过渡层对SiC薄膜结构与性能的调控机制研究

一、引言

1.1SiC薄膜概述

碳化硅（SiC）薄膜作为一种极具潜力的材料，凭借其卓越的物理化学特性，在众多领域展现出广泛的应用前景。SiC薄膜具有高硬度、高熔点、良好的热稳定性以及卓越的化学惰性，这些特性使其成为半导体器件、高温结构材料和光电材料等领域的理想选择。在半导体领域，SiC薄膜更是占据着举足轻重的地位。它是制作高温、高频、大功率、抗辐照、短波长发光及光电整合元件的理想材料，在高频、大功率、耐高温、抗辐照的半导体元件及紫外探测器等方面具有广泛的应用前景。与传统的Si和GaAs半导体材料相比，SiC薄膜具有能带宽、热导率高、