BCD工艺下70VLDMOS器件热载流子可靠性的深度剖析与优化策略

一、引言

1.1研究背景与意义

随着现代电子技术的飞速发展，集成电路在各个领域的应用愈发广泛，对其性能和可靠性的要求也日益提高。BCD（Bipolar-CMOS-DMOS）工艺作为一种重要的半导体制造技术，能够将双极型晶体管（Bipolar）、互补金属氧化物半导体（CMOS）和双扩散金属氧化物半导体（DMOS）器件集成在同一芯片上，实现了不同器件优势的互补，为高性能集成电路的发展提供了有力支持。该工艺凭借其高集成度、高性能和低成本的优势，在功率电子、汽车电子、通信电子等众多领域得到了广泛应用。例如，在汽车电子领域，BCD