CMOS工艺下低相位噪声LCVCO的优化设计与实践研究

一、引言

1.1研究背景与意义

在当今高度数字化和信息化的时代，集成电路技术作为现代电子信息技术的核心，正以前所未有的速度蓬勃发展。从我们日常使用的智能手机、平板电脑，到高性能的计算机、通信基站，再到先进的航空航天设备，集成电路无处不在，它已经成为推动各个领域技术进步和创新的关键力量。在众多集成电路制造工艺中，CMOS（ComplementaryMetal-Oxide-Semiconductor，互补金属氧化物半导体）工艺凭借其独特的优势，逐渐占据了主导地位。

CMOS工艺具有低功耗、高集成度、成本低等显著特点，这些优势使