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2025年数字电路基础知识考核试题及答案

一、单项选择题（每题2分，共30分）

1.在CMOS反相器中，若PMOS与NMOS的宽长比之比为3:1，则其静态功耗最接近下列哪一项？

A.0nW

B.1nW

C.10nW

D.100nW

答案：A

解析：理想CMOS反相器在静态条件下无直流通路，仅存在皮安级漏电流，故静态功耗趋近于零。

2.某4位超前进位加法器完成一次运算所需门延迟为4级，若将位宽扩展至16位且不改变进位策略，则最坏情况延迟约为原延迟的多少倍？

A.1

B.2

C.4

D.16

答案：C

解析：超前进位加法器