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文件名称：氧化锌薄膜：从光学各向异性到电光效应的深度剖析.docx
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总页数：21 页
更新时间：2025-12-11
总字数：约2.54万字
文档摘要
氧化锌薄膜：从光学各向异性到电光效应的深度剖析
一、引言
1.1研究背景与意义
在现代材料科学领域，氧化锌（ZnO）薄膜凭借其独特的物理性质，成为了研究的焦点之一。ZnO是一种宽带隙Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体材料，室温下禁带宽度约为3.37eV，激子束缚能高达60meV，远大于GaN的25meV和ZnSe的22meV。这些特性使得ZnO薄膜在众多领域展现出巨大的应用潜力。
在半导体器件领域，ZnO薄膜由于其高电子迁移率和良好的化学稳定性，被广泛应用于薄膜晶体管（TFT）。传统TFT多采用硅基材料，而ZnO靶材制备的TFT具有更高的电子迁移率，能够在低工