AlGaN/GaN异质结功率晶体管：新型结构剖析与特性深度解析

一、引言

1.1研究背景与意义

在当今科技飞速发展的时代，电力电子技术和通信技术作为现代社会的重要支撑，对半导体器件的性能提出了越来越高的要求。传统的硅基功率器件由于材料本身的限制，在面对高功率、高频以及高温等应用场景时，逐渐暴露出其性能瓶颈。例如，在高频应用中，硅基器件的开关损耗较大，限制了系统的效率和工作频率的进一步提升；在高功率应用中，其导通电阻较高，导致能量损耗增加，散热问题也更为严峻。因此，开发新型的功率器件成为了满足现代科技发展需求的关键。

氮化镓（GaN）作为第三代半导体材料的代表，以其宽禁带、高电子迁移率、高击穿