关于《半导体器件碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管（SiCMOSFET）可靠性试验方法第1部分：偏置温度不稳定性试验方法》立项的发展报告

标题：推动产业规范化发展：《SiCMOSFET偏置温度不稳定性试验方法》标准立项的必要性与战略意义

摘要：

本报告旨在阐述《半导体器件碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管（SiCMOSFET）可靠性试验方法第1部分：偏置温度不稳定性试验方法》标准立项的核心价值。随着以碳化硅（SiC）为代表的第三代半导体在新能源汽车、智能电网等关键战略领域的广泛应用，其核心器件SiCMOSFET的可靠性评估成为产业健康发展的瓶颈。特别是偏置温度不稳定性（BTI