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2025年电子技术应用试题及答案

一、单项选择题（每题2分，共20分）

1.关于GaN（氮化镓）场效应晶体管（FET）的特性，以下描述错误的是：

A.禁带宽度大于硅器件

B.工作温度上限低于硅MOSFET

C.导通电阻更小

D.开关速度更快

2.某共集电极放大电路中，输入信号为正弦波，输出信号出现顶部失真，最可能的原因是：

A.静态工作点过高，进入饱和区

B.静态工作点过低，进入截止区

C.负载电阻过大

D.耦合电容容量不足

3.若要设计一个输出电压为±15V、最大输出电流1A的线性稳压电源，核心元件应选用：

A.7815