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摘要

CdS

硫化镉（）纳米带因其较大的比表面积、高迁移率、优异的光吸收性能以

及高效的光电转换效率等特性，在光电探测领域得到了广泛应用。基于CdS纳米

带制备的器件展现出较高的探测灵敏度和较宽的探测范围。然而，在CdS纳米带

光电探测器的材料和器件制备过程中，由于存在非受控掺杂引入、晶体结构缺陷

以及表面氧化等因素，导致器件呈现出较高的背景暗电流，极大地影响了器件的

探测灵敏度。本研究在利用化学气相沉积法生长高质量CdS纳米带的基础上，通

过边栅和顶栅的结构设计以及