极紫外光学薄膜元件表面抗污染保护层的关键技术与性能优化研究

一、引言

1.1研究背景与意义

在当今科技飞速发展的时代，半导体产业作为现代信息技术的基石，其重要性不言而喻。随着人们对电子设备性能要求的不断提高，半导体器件的尺寸持续缩小，这使得极紫外光刻（EUVL）技术成为了推动半导体产业发展的关键技术。极紫外光刻技术能够实现更小的线宽和更高的集成度，为制造高性能、低功耗的芯片提供了可能。

在极紫外光刻系统中，光学薄膜元件是核心部件之一，其性能直接影响着光刻的精度和效率。这些光学薄膜元件需要具备高反射率、低吸收率和良好的稳定性，以确保极紫外光能够准确地传输和聚焦。然而，在实际的光刻过程中，光学薄