基本信息
文件名称:2025年半导体工艺工程师年终总结(28nm芯片国产化适配).docx
文件大小:39.54 KB
总页数:5 页
更新时间:2025-12-14
总字数:约2.45千字
文档摘要

工作概述

2025年是28nm芯片国产化适配的关键一年,我作为工艺工程师,深度参与了从设备引进到工艺优化的全流程工作。这一年里,我们团队成功实现了28nm工艺节点的全面国产化,在良率提升、成本控制和产能爬坡方面都取得了突破性进展。

核心工作成果

工艺开发与优化

设备国产化适配

良率提升项目

针对28nm工艺的良率瓶颈,我主导成立了专项改善小组。通过失效分析和工艺优化,我们将整体良率从年初的65%提升到目前的82%,其中逻辑电路良率达到85%,存储电路良率达到80%。特别是在金属互联工艺中,我们优化了电镀参数和退火工艺,将互联电阻降低了15%。

技术突破与创新

新材料应用

工艺集成创新

我提出了