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文档摘要

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硅探测器物理报告

ReportforSiliconDetectorPhysics;I-V：漏电流、噪声

C-V：临界电压、掺杂分布

调研了部分实验，其中有较早研究LGAD的。;信号电荷

带隙越大，信号电荷越小

需要小静态电流的强场，高电阻，带隙增加，影响信号电荷

SensorVolume：

PN结电流：理论和实验互相印证了特殊曲线。

pnjunction内建电压

探测器边缘损坏增大漏电流

掺杂浓度;电荷收集

信号收集的效率与灵敏度

收集时间：

偏压越大，收集越快;耗尽电压

一