基于围栅硅纳米线器件的低功耗SRAM：设计、优化与性能分析

一、绪论

1.1研究背景与意义

随着电子技术的迅猛发展，现代电子系统对存储器件的性能提出了越来越高的要求。高性能、低功耗、小尺寸以及高可靠性的存储器件已成为现代电子系统中不可或缺的重要组成部分。静态随机存取存储器（SRAM）作为现代电子系统的主要存储组件之一，凭借其高速读写、无需刷新等优点，被广泛应用于计算机缓存、高速数据存储以及各类嵌入式系统中。

在SRAM的应用中，低功耗已成为一项至关重要的指标。一方面，随着移动设备的普及和物联网的发展，电池供电的设备对电池寿命、尺寸和功耗的要求越来越高。低功耗SRAM能够有效降低设备的