基本信息
文件名称:2025年惠州半导体公司面试题库及答案.doc
文件大小:23.85 KB
总页数:16 页
更新时间:2025-12-18
总字数:约4.86千字
文档摘要

2025年惠州半导体公司面试题库及答案

一、单项选择题(总共10题,每题2分)

1.半导体器件的基本特性不包括以下哪一项?

A.隔离性

B.导电性

C.非线性

D.动态特性

答案:A

2.在半导体制造过程中,以下哪一步不属于光刻工艺?

A.光刻胶涂覆

B.曝光

C.显影

D.湿法刻蚀

答案:D

3.MOSFET器件中,以下哪个是增强型MOSFET的工作模式?

A.饱和区

B.截止区

C.线性区

D.过驱动区

答案:C

4.半导体材料的禁带宽度越大,以下哪个特性越强?

A.导电性

B.光电效应

C.热稳定性

D.化学活性

答案:C

5.在半导体器件的