基本信息
文件名称:2025年惠州半导体公司面试题库及答案.doc
文件大小:23.85 KB
总页数:16 页
更新时间:2025-12-18
总字数:约4.86千字
文档摘要
2025年惠州半导体公司面试题库及答案
一、单项选择题(总共10题,每题2分)
1.半导体器件的基本特性不包括以下哪一项?
A.隔离性
B.导电性
C.非线性
D.动态特性
答案:A
2.在半导体制造过程中,以下哪一步不属于光刻工艺?
A.光刻胶涂覆
B.曝光
C.显影
D.湿法刻蚀
答案:D
3.MOSFET器件中,以下哪个是增强型MOSFET的工作模式?
A.饱和区
B.截止区
C.线性区
D.过驱动区
答案:C
4.半导体材料的禁带宽度越大,以下哪个特性越强?
A.导电性
B.光电效应
C.热稳定性
D.化学活性
答案:C
5.在半导体器件的