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文件名称：半导体器件仿真：MOSFET仿真_（10）.MOSFET工艺参数影响仿真.docx
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总页数：14 页
更新时间：2025-12-20
总字数：约1.29万字
文档摘要
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MOSFET工艺参数影响仿真
工艺参数对MOSFET性能的影响
在半导体器件仿真中，MOSFET（金属-氧化物-半导体场效应晶体管）的性能受到多种工艺参数的影响。这些参数不仅决定了MOSFET的基本结构，还影响了其电气特性、可靠性以及制造成本。本节将详细介绍这些工艺参数及其对MOSFET性能的具体影响，并通过仿真软件进行演示。
1.氧化层厚度（OxideThickness,Tox）
氧化层厚度是MOSFET最重要的工艺参数之一。它直接影响了栅极绝缘层的电场强度，从而影响MOSFET的阈值电压（Vt
1.1原理
氧化层厚度Tox越小，栅极电场强