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文件名称:半导体工艺仿真:离子注入工艺仿真_(13).离子注入仿真与其他工艺仿真的结合.docx
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更新时间:2025-12-20
总字数:约9.96千字
文档摘要
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离子注入仿真与其他工艺仿真的结合
在半导体工艺仿真中,离子注入仿真通常与其他工艺仿真步骤相结合,以更全面地模拟整个工艺流程。这一节将详细介绍如何将离子注入仿真与其他工艺仿真步骤(如氧化、扩散、刻蚀等)结合起来,以实现更精确的工艺模拟。
1.离子注入仿真与氧化工艺仿真的结合
1.1理论基础
在离子注入过程中,注入的离子会在半导体表面形成损伤层,这会影响后续的氧化工艺。氧化工艺会去除表面的损伤层,同时也会改变注入离子的分布。因此,将离子注入仿真与氧化工艺仿真相结合是必要的。
1.2仿真步骤
离子注入仿真:使用离子注入仿真软件(如SynopsysSen