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文件名称:半导体器件可靠性分析:电迁移分析all.docx
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更新时间:2025-12-20
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文档摘要
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电迁移分析
1.电迁移的基本概念
电迁移(Electromigration,EM)是指在高电流密度下,导电材料中的原子在电子风力(电子流产生的动量转移)作用下发生迁移的现象。这种迁移会导致导线的形态和结构发生变化,从而影响器件的可靠性和性能。在现代半导体器件中,电迁移是导致互连失效的主要原因之一,特别是在纳米尺度的互连中更为严重。
1.1电迁移的物理机制
电迁移的物理机制主要包括以下几点:
电子风力:电子在导线中流动时,会与晶格中的原子发生碰撞,将动量转移到原子上,使原子发生迁移。
空位扩散:在电流的作用下,导线中的空位(缺少原子的位置)会向阳极方