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文件名称:半导体器件可靠性分析:电迁移分析_(6).电迁移的预防与缓解措施.docx
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更新时间:2025-12-20
总字数:约1.02万字
文档摘要
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电迁移的预防与缓解措施
1.电迁移的基本概念回顾
在上一节中,我们详细讨论了电迁移(Electromigration,EM)的机理及其对半导体器件可靠性的负面影响。电迁移是指由于电流通过金属导线而引起的金属离子的迁移现象,这种迁移会导致导线中的微观缺陷累积,最终可能导致导线断开或短路,严重影响器件的性能和寿命。本节将重点介绍如何预防和缓解电迁移,以提高半导体器件的可靠性。
2.电迁移的预防措施
2.1选择合适的材料
2.1.1高熔点金属
高熔点金属具有较高的原子扩散激活能,因此在高温下也不容易发生电迁移。常用的高熔点金属包括钨(W)、钼(Mo)