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电迁移的建模与仿真

在半导体器件中，电迁移（Electromigration,EM）是指在高电流密度下，电子流通过金属互连层时对金属原子产生的推动力，导致金属原子沿电流方向迁移的现象。这种迁移会逐渐改变金属导线的微观结构，形成空洞、裂纹或hillocks，最终可能导致器件的失效。因此，电迁移分析是半导体器件可靠性分析中的一个重要环节。

1.电迁移的基本概念

1.1电迁移的物理机制

电迁移的物理机制主要包括以下几个方面：

电子风力（ElectronWindForce,EWF）：电子在通过金属导线时，其动量传递给金属原子，形成一种推动力，使金属