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文档摘要

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氧化锌微纳米线：开启光电器件创新应用的新征程

一、引言

1.1研究背景与意义

在现代科技飞速发展的时代，光电器件作为信息传输、处理和存储的关键元件，在通信、医疗、能源、国防等众多领域都有着举足轻重的地位。随着人们对光电器件性能要求的不断提高，开发新型材料和优化器件结构成为了推动光电器件发展的核心任务。氧化锌（ZnO）微纳米线作为一种具有独特物理性质和优异性能的新型材料，在光电器件领域展现出了巨大的应用潜力，引发了科研人员的广泛关注。

ZnO是一种直接带隙宽禁带半导体材料，室温下其禁带宽度达到3.37eV，激子束缚能高达60meV。这一特性使得ZnO在室温乃至高温条件下都能实现