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文档摘要

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ZnO纳米线的掺杂改性与光电器件性能优化研究

一、引言

1.1研究背景与意义

在当今科技飞速发展的时代，纳米材料凭借其独特的物理和化学性质，在众多领域展现出了巨大的应用潜力，成为了材料科学领域的研究热点之一。氧化锌（ZnO）纳米线作为一种重要的一维纳米材料，因其具有宽直接带隙（约3.37eV）、高激子束缚能（约60meV）以及良好的化学稳定性等优异特性，在光电器件领域吸引了广泛的关注。

从光学特性来看，ZnO纳米线在近紫外区域具有较强的发射特性，这使得它在紫外发光二极管（UV-LED）、纳米激光器等光发射器件中展现出巨大的应用潜力。通过精确控制ZnO纳米线的生长和制备工艺，可以