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文件名称:硅通孔(TSV)三维集成关键工艺技术的多维度探究与展望.docx
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总页数:20 页
更新时间:2025-12-23
总字数:约2.43万字
文档摘要

硅通孔(TSV)三维集成关键工艺技术的多维度探究与展望

一、引言

1.1研究背景与意义

在当今数字化时代,电子设备已深度融入人们的生活与工作,成为不可或缺的一部分。从智能手机、平板电脑等便携式设备,到高性能计算机、数据中心服务器等大型系统,电子设备的应用领域不断拓展,功能日益强大。随着5G通信、人工智能、物联网等新兴技术的迅猛发展,对电子设备的性能提出了更为严苛的要求,其中芯片作为电子设备的核心部件,其性能和集成度直接决定了电子设备的整体性能表现。

随着摩尔定律逐渐逼近物理极限,传统的二维芯片集成技术面临着诸多挑战,如信号传输延迟增加、功耗上升、芯片面积难以进一步缩小等。这些问题限制了芯