青岛海宜丰电力电子有限公司产品说明书

电力半导体三相整流模块说明书

一、特性

1、芯片采用沟槽氮化硅玻璃烧结工艺。

2、通态压降低，功耗小。

3、高温175℃下反向漏电流小。

4、浪涌电流能力强。

5、塑料灌封结构，安装方便，可靠性高。

6、热性能好。

二、质量等级

1、企军标JP参照GJB33A-97执行

2、普军J：参考QZJ840611A执行。

三、三相整流管模块额定值和特性参数

表1：三相整流管模块额定值和特性参数