青岛海宜丰电力电子有限公司产品说明书

电力半导体晶闸管模块说明书

一、特性

1、芯片采用沟槽氮化硅玻璃烧结工艺。

2、通态压降低，功耗小。

3175

、高温℃下反向漏电流小。

4、浪涌电流能力强。

5、塑料灌封结构，安装方便，可靠性高。

6、热性能好。

二、质量等级

1JPJTGJB33A-97

、企军标、：

2GQZJ840611A

、七专：

3JQZJ840611A

、普军：