绝缘体上锗材料赋能P-MOSFET器件性能优化的深度剖析

一、引言

1.1研究背景与意义

半导体器件作为现代电子信息技术的核心基础，其发展历程见证了科技的飞速进步。从早期简单的电子管到晶体管，再到集成电路的出现，半导体器件的性能不断提升，尺寸持续缩小，推动着电子设备向小型化、高性能化方向发展。随着5G通信、人工智能、物联网等新兴技术的兴起，对半导体器件的性能提出了更为严苛的要求，促使科研人员不断探索新型材料和器件结构，以满足日益增长的技术需求。

绝缘体上锗（GeOI，GermaniumonInsulator）材料作为新一代半导体材料，近年来受到了广泛关注。锗（Ge）作为一种重要的半导