基本信息
文件名称:2026年新版天商中微期末题.doc
文件大小:23.76 KB
总页数:13 页
更新时间:2025-12-26
总字数:约3.62千字
文档摘要
2026年新版天商中微期末题
一、选择题(总共10题,每题2分)
1.在半导体器件制造过程中,以下哪项工艺步骤主要用于形成器件的电极?
A.光刻
B.氧化
C.扩散
D.腐蚀
2.MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)的基本结构中,不包括以下哪一部分?
A.源极
B.漏极
C.集电极
D.栅极
3.在双极结型晶体管(BJT)中,基极电流的变化对集电极电流的影响称为:
A.电流放大系数
B.输入阻抗
C.输出阻抗
D.跨导
4.半导体材料的禁带宽度越大,其导电性能如何?
A.越好
B.越差
C.不变
D.无法确定
5.在CMOS(互补金属氧化物