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文件名称:2026年新版天商中微期末题.doc
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总页数:13 页
更新时间:2025-12-26
总字数:约3.62千字
文档摘要

2026年新版天商中微期末题

一、选择题(总共10题,每题2分)

1.在半导体器件制造过程中,以下哪项工艺步骤主要用于形成器件的电极?

A.光刻

B.氧化

C.扩散

D.腐蚀

2.MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)的基本结构中,不包括以下哪一部分?

A.源极

B.漏极

C.集电极

D.栅极

3.在双极结型晶体管(BJT)中,基极电流的变化对集电极电流的影响称为:

A.电流放大系数

B.输入阻抗

C.输出阻抗

D.跨导

4.半导体材料的禁带宽度越大,其导电性能如何?

A.越好

B.越差

C.不变

D.无法确定

5.在CMOS(互补金属氧化物