基本信息
文件名称:存储设备行业深度:“两存”奋起直追,设备乘风而起.docx
文件大小:5.85 MB
总页数:33 页
更新时间:2025-12-27
总字数:约2.09万字
文档摘要

目录索引

一、DRAM:AI模型进步的主要“卡点”之一 6

(一)TRANSFOMER模型对内存提出了更高的要求 6

(二)AI有效拉动了DRAM/HBM的需求 12

(三)存储领域以三巨头为主,长存长鑫奋起直追 14

二、存储工艺:驱动存储芯片技术不断前进 22

(一)DRAM:依靠电容存储信息的“临时中转站” 22

(二)HBM:专为AI而生的“高速公路” 26

(三)NAND:长期储存数据的选择 27

三、存储设备:推进工艺进步的主要抓手 31

四、风险提示 34

(一)行业资本不及预期的风险 34

(二)半导体技术推进不及预