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文件名称:存储设备行业深度:“两存”奋起直追,设备乘风而起.docx
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总页数:33 页
更新时间:2025-12-27
总字数:约2.09万字
文档摘要
目录索引
一、DRAM:AI模型进步的主要“卡点”之一 6
(一)TRANSFOMER模型对内存提出了更高的要求 6
(二)AI有效拉动了DRAM/HBM的需求 12
(三)存储领域以三巨头为主,长存长鑫奋起直追 14
二、存储工艺:驱动存储芯片技术不断前进 22
(一)DRAM:依靠电容存储信息的“临时中转站” 22
(二)HBM:专为AI而生的“高速公路” 26
(三)NAND:长期储存数据的选择 27
三、存储设备:推进工艺进步的主要抓手 31
四、风险提示 34
(一)行业资本不及预期的风险 34
(二)半导体技术推进不及预