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文档摘要

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锗基器件刻蚀与界面处理工艺实验研究

一、研究背景与意义

锗凭借其卓越的载流子迁移率，在高频、高速半导体器件领域展现出巨大的应用潜力，成为替代硅基材料的有力竞争者。然而，锗基器件的制备过程并非一帆风顺，刻蚀工艺中易产生表面损伤和刻蚀残留物，界面处理时则面临着界面态密度高、氧化层质量不佳等问题，这些都严重制约了锗基器件性能的提升和大规模应用。

具体而言，在刻蚀过程中，不恰当的刻蚀工艺会导致锗表面出现晶格缺陷，影响载流子的输运特性，降低器件的电性能。而界面处的高态密度会引起载流子的散射和俘获，使器件的阈值电压漂移、漏电流增大，可靠性下降。因此，深入开展锗基器件刻蚀与界面处理工艺的实验研究，优化工艺参