基本信息
文件名称：半导体材料制备技术.ppt
文件大小：5.94 MB
总页数：28 页
更新时间：2025-12-28
总字数：约1.15千字
文档摘要
第三章半导体材料制备技术;3.1晶体生长技术;2、布里奇曼法的特点;3.1.2．直拉法（Czochralski，简称CZ）;3.1.3区熔法（Floatingzone,简称FZ）;3.1.4升华法PVT;3.2多晶硅制备;1、工业硅制备
工业硅，一般是指95～99％纯度的硅，又称粗硅，或称结晶硅。原料：石英砂、焦炭;2、四氯化硅制备;3、三氯氢硅制备（西门子法）;4、精馏提纯;精馏;精馏是一种很有效的提纯手段，一次全过程，SiHCl3的纯度可从98%提纯到9个“9”到10个“9”，而且可连续生产，故精馏是SiHCl3提纯的主要方法。
;5、四氯化硅或三氯氢硅