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文档摘要

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2025年半导体光刻技术专员年终制程突破报告

一、EUV光刻技术实现3nm节点量产突破

在实际生产中，我们发现通过调整曝光剂量和焦距参数，可以进一步优化图案保真度。特别是在多层堆叠结构中，EUV光刻展现出了卓越的套刻精度，层间对准误差控制在2nm以内。这为后续的FinFET和GAA晶体管制造奠定了坚实基础。

二、多重图案化技术在先进制程中的创新应用

面对EUV光刻机产能有限的挑战，我们在2025年大力推广了多重图案化技术。通过SADP（自对准双重图案化）和SAQP（自对准四重图案化）工艺的结合，成功在现有的193nm浸没式光刻机上实现了7nm制程的量产。

这项技术的关键创新在于开发了新型的硬掩