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文档摘要

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2.4.1结型场效应管1.结构在N型半导体两边用扩散法或其他工艺形成两个高浓度的P型区（用P+）表示，并将它们连接在一起，所引出的电极称为栅极G；在N型半导体的两端各引出一个电极，分别称为源极S和漏极D。两个P+区与N型半导体之间形成了两个PN结，PN结中间的N型区域称为导电沟道。N沟道JFET的电路符号如图（b）所示。其中箭头表示栅结（PN结）的方向，从P指向N，P沟道JFET的栅结方向与N沟道的相反。图2-34结型场效应管2.工作原理改变JFET栅极和源极之间的电压uGS，即可改变导电沟道的宽度，从而改变通过漏极和源极