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文件名称:基于ICP技术的碲镉汞微台面干法隔离关键技术及性能优化研究.docx
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更新时间:2025-12-29
总字数:约1.93万字
文档摘要
基于ICP技术的碲镉汞微台面干法隔离关键技术及性能优化研究
一、引言
1.1研究背景与意义
碲镉汞(HgCdTe)作为一种重要的窄带半导体材料,在红外探测器领域占据着举足轻重的地位。自20世纪50年代被发现以来,碲镉汞凭借其独特的材料特性,如电子有效质量小、电子迁移率高、响应速度快等,成为了红外探测的首选材料。通过调节Cd组分,HgCdTe的带隙可在0-1.6eV之间连续变化,对应的波长能够完全覆盖短波、中波、长波和甚长波等整个红外波段,这使得基于碲镉汞的红外探测器在军事、航天、工业检测、医学成像等众多领域得到了广泛应用。在军事领域,碲镉汞红外探测器可用于导弹制导、目