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文件名称:第4章恒流源电路.ppt
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总页数:38 页
更新时间:2025-12-29
总字数:约4.55千字
文档摘要

恒流源电路基本电流镜结构电流复制的基本原理:工作在饱和区的两个相同MOS器件(相同的工艺参数)具有相同栅源电压;其漏极电流完全相等实际电路中由于存在沟道调制效应时,漏源电压VDS若不相等,则其电流不相等。基本电流镜结构在考虑沟道调制效应时有:从上式可以看出:若已有IR,只要改变M1与M2的宽长比,就可设计出Io,该结构即为比例电流镜,这种技术有着广泛的应用,如:放大器的负载。但是由于存在沟道调制效应,且VDS2是一变量,因此Io实际上不是一个恒流源。基本电流镜结构改善Io的恒流特性以实现真正意义上的电流源,原则上有两种方