基本信息
文件名称：布局与布线仿真：物理验证_（8）.天线效应检测.docx
文件大小：23.77 KB
总页数：14 页
更新时间：2025-12-29
总字数：约1.3万字
文档摘要
PAGE1
PAGE1
天线效应检测
在集成电路设计中，天线效应（AntennaEffect）是一个重要的物理验证问题。天线效应是指在集成电路制造过程中，由于金属层的长路径和大面积暴露在等离子体环境中，导致金属层上积累电荷，进而可能损坏或影响晶体管的正常工作。这种效应在多层金属布线中尤为常见，特别是在高密度集成和先进工艺节点下。因此，天线效应检测是确保集成电路可靠性和性能的重要步骤之一。
天线效应的原理
天线效应主要是由于等离子体刻蚀过程中的电荷积累引起的。在刻蚀过程中，等离子体会在金属层上积累电荷，导致电场强度增加。当电场强度超过一定阈值时，可能会击穿栅极氧化层，造成晶体管