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文件名称：制造工艺仿真：光刻仿真_（7）.焦深与分辨率仿真.docx
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更新时间：2025-12-30
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文档摘要
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焦深与分辨率仿真
在光刻工艺中，焦深（DepthofFocus,DoF）和分辨率（Resolution）是两个非常重要的参数，它们直接影响到最终芯片的良率和性能。本节将详细介绍这两个参数的原理及其在光刻仿真中的应用，并通过具体的软件示例来说明如何进行焦深和分辨率的仿真。
焦深（DepthofFocus,DoF）
焦深是指在光刻过程中，光刻机对焦面上下允许的偏差范围，使得曝光后的光刻胶图形仍然能够保持清晰。焦深的大小直接影响到光刻工艺的容错性。较大的焦深意味着光刻工艺对晶圆表面不平整的容忍度较高，从而提高工艺的可靠性。焦深的计算可以通过以下公式