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文档摘要

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Li掺杂对ZnO薄膜阻变存储器特性的影响与机制研究

一、引言

1.1研究背景与意义

在信息技术飞速发展的当下，数据存储技术扮演着至关重要的角色，其性能优劣直接关乎整个信息系统的运行效率和发展潜力。传统的存储技术，如闪存（FlashMemory）和动态随机存取存储器（DRAM），尽管在过去的几十年中为信息存储做出了巨大贡献，但随着大数据、人工智能、物联网等新兴技术的迅猛崛起，它们在性能、功耗和可扩展性等方面逐渐暴露出诸多瓶颈。例如，闪存的读写速度相对较慢，难以满足大数据实时处理和人工智能高速运算对数据读取的迫切需求；DRAM则存在易失性问题，断电后数据丢失，且功耗较高，这在能源日益紧张的今