CMOS数字集成电路原理与分析第三章CMOS集成电路制造工艺

第二章内容概述MOS晶体电流方程1.两个相互独立的有源区（nMOS晶体管是n+区，pMOS晶体管是p+区。）2.有源区通过具有MOS电容结构的沟道区关联MOS晶体管结构在MOS电容的金属电极端施加信号，引起MOS电容半导体一侧的表面端出现反型层，形成连接两个有源区的导电沟道。进一步通过源极与漏极的电压差调控源极和漏极之间的电流。是电压控制型器件。基本工作条件是源极、漏极与衬底的pn结反偏。MOS晶体管工作原理MOS晶体管重要参数MOS晶体管宽长比（W/L)MOS晶体管阈值电压栅氧厚度tox沟道掺杂浓度NA