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文件名称:集成电路制造工艺 课件 第5--11章 掺杂 ---集成电路测试与可靠性分析.pptx
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总页数:392 页
更新时间:2026-01-04
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文档摘要

集成电路制造工艺

--热扩散的基本原理;;;§5.1扩散的基本原理;;替位式杂质又称慢扩散杂质,间隙式杂质又称快扩散杂质,工艺中作为掺杂一般选择慢扩散杂质,工艺容易控制。;形成PN结。

形成一定电导率的电阻。

形成晶体管的特定区域,如:双极型晶体管的基区、发射区、集电区;MOS管的源区、漏区和多晶硅栅极的掺杂。

改变某些材料的机械性能。;扩散的

三个概念;扩散方程;菲克第二定律;;杂质剂量公式;恒定源扩散杂质分布图;(2)有限源扩散:;如果再分布的特征扩散长度远大于预淀积的特征扩散长度,最终杂质分布近似于高斯分布,反之,最终杂质分布接近于余误差函数分布。;(3)两步扩散法;;