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文件名称：(第五章)光刻工艺PPT课件.pptx
文件大小：13.02 MB
总页数：93 页
更新时间：2026-01-04
总字数：约2.46千字
文档摘要
第五章光刻;光刻基本概念
负性和正性光刻胶差别
光刻的8个基本步骤
光刻光学系统
光刻中对准和曝光的目的
光刻特征参数的定义及计算方法
五代光刻设备;5.1引言;光刻是集成电路制造的关键工艺;一、光刻技术的特点;二、光刻三个基本条件;光刻三个基本条件——光刻胶PRPhotoResist;;光刻三个基本条件——光刻机;三、光刻技术要求;分辨率,是将硅片上两个相邻的特征尺寸图形区分开的能力.
套准精度,掩膜版上的图形与硅片上的图形的对准程度.按照光刻的要求版上的图形与片上图形要精确对准.
工艺宽容度,工艺发生一定变化时,在规定范围内仍能达到关键尺寸要求的能力.;5.2光刻工艺步骤及原理;光