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文档摘要

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集成电路制造工艺

--硅单晶的制备;第七章衬底制备;第七章衬底制备;点沙成“金”;本节主要内容：;1.单晶、多晶的概念;;SiHCl3还原法的化学反应式：;1.从多晶转变成单晶的实质：;3.单晶硅制备的方法;又叫切克拉斯基法，简写CZ,是把具有一定晶向的单晶----籽晶插入到熔融的Si中，控制一定的过冷温度，以一定的速度将籽晶缓慢提升并同时将籽晶轴旋转，新的晶体就在籽晶下生长出来了。;美国凯克斯公司(Kayex)300mm直拉单晶炉;直拉法的设备主要包括四个部份：;;拉单晶硅用的石墨热场;