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文件名称：集成电路制造工艺 课件 6.3 先进的平坦化技术.pptx
文件大小：7.33 MB
总页数：36 页
更新时间：2026-01-04
总字数：约1.07千字
文档摘要
集成电路制造工艺
--先进的平坦化技术CMP;;;§6.3先进的平坦化技术CMP;;序号;;是指CMP抛光去除台阶的高度与抛光之前台阶的高度之比。它描述了硅片表面的起伏变化情况。;片间非均匀性描述多个硅片之间的膜层厚度的变化。;磨除速率是指CMP抛光时去除表面材料的速率。一般突出部分的磨除速率更高。;选择比是指在同样的条件下对两种无图形覆盖材料抛光速率的比值。
选择比=磨除材料1的速率/磨除材料2的速率
通常如果需要磨除材料1，保留材料2，就必须使得磨除材料1的速率如果远远大于磨除材料2的速率，选择比较大，选择性就比较好。;CMP会引入一些新的缺陷，例如划痕