集成电路制造工艺

--离子注入机的损伤与退火

单位：江苏信息职业技术学院

微电子教研室

第五章掺杂

第五章掺杂

§5.6离子注入损伤与退火工艺

消除晶格损伤

撞离错位的硅原子重新回到晶格位置。

激活杂质

杂质取代硅原子占据晶格点，成为施、受主杂质。

一、退火的作用：

高温热退火：

用高温炉把硅片加热至800-1000℃并保持30分钟

特点：方法简单，设备兼容，但高温长时间易导致杂质的再扩散

快速热退火