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文件名称：集成电路制造工艺 课件 5.2 热扩散的方法.pptx
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总页数：18 页
更新时间：2026-01-04
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文档摘要
集成电路制造工艺
--热扩散的基本原理;;;§5.2扩散方法;1.液态源硼扩;（2）扩散原理;硼酸三甲酯高温分解出三氧化二硼，三氧化二硼在900℃左右与硅反应生成硼原子并沉积于硅表面，形成一层含有大量硼原子的SiO2，其中的硼原子继续向硅中扩散，在表面形成一层高浓度的掺杂层，完成预淀积。
经过预沉积的硅片在漂去硼硅玻璃后在氧气中进行再分布，使杂质向里推进。;5寸扩散炉;2.液态源磷扩——三氯氧磷;液态源磷扩的基本原理与硼酸三甲酯相似，在磷扩预淀积时，由于生成的PCl5对硅有腐蚀作用，所以加入少量的氧气，将PCl5