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文档摘要

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集成电路制造工艺

--湿法刻蚀

单位：江苏信息职业技术学院

微电子教研室

第四章刻蚀

第四章刻蚀

湿法刻蚀：目前主要用在漂去氧化硅、表层剥离及大尺寸图形（3?m以上)腐蚀应用方面；

干法刻蚀：是亚微米和深亚微米尺寸下刻蚀器件的主要方法。

刻蚀

湿法刻蚀

干法刻蚀

§4.2湿法刻蚀

湿法刻蚀是利用一定的化学试剂与需刻蚀的薄膜反应从而在薄膜上显示一定的图形。

一、湿法刻蚀的基本概念

湿法刻蚀的优点：

高刻蚀的选择比；

不产生衬底损伤。

湿法刻蚀的缺点：

各向同性刻蚀，刻蚀后的线条宽度难以控制。

通常伴有放热并产生气体。反应放热会造