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文档摘要

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集成电路制造工艺

--刻蚀的基本概念;;;刻蚀，是用化学或物理方法有选择地从硅片表面去除不需要的材料，从而把光刻胶上的图形转移到薄膜上的过程。;二、刻蚀的主要参数;薄膜在纵向被腐蚀的同时也存在着横向被腐蚀，造成实际窗口的尺寸大于设计尺寸，使刻蚀的分辨率下降。;被刻蚀材料的刻蚀速率与另一种材料（如光刻胶或衬底）的刻蚀速率的比。高选择比意味着只对想要去除的薄膜进行刻蚀，而光刻胶和衬底受到的刻蚀很小，或者说速率十分缓慢。;片内均匀性、批内均匀性和批间均匀性。非均匀性刻蚀会带来额外的过度刻蚀，影响刻蚀质量。

均匀性由测量刻蚀前后晶圆的特定点厚度，并计算这些点的刻蚀